Die Kombination aus Rasterelektronenmikroskop (REM) und fokussiertem Ionenstrahl (Focussed Ion Beam, FIB) ermöglicht es, auf kleinster Skala (Nanometerbereich) gezielt in Material hineinzuschneiden und die Materialstruktur unterhalb der Oberfläche direkt abzubilden. Somit lassen sich zum Beispiel lokale Störstellen genau lokalisieren und auch chemisch analysieren (EDX). Dies funktioniert für nahezu jedes Material im festen Zustand, egal ob weich oder besonders hart, Polymere, Metalle, Keramiken, Textilfasern, Holz etc.
Das Focussed Ion Beam-Gerät »Cross-Beam 340« der Firma Zeiss wird für die Erstellung von lokalen Querschnitten und TEM-Lamellen genutzt. Ausstattung: Ga-Ionenquelle (1-30keV), FE-Schottky Emitter, Detektoren: In-Lense, SE, BSE, STEM und EDX, Mikromanipulator, PtC-Precursor, Variable Pressure Mode, Plasma-cleaner, große Schleuse.
Optische Mehrfach-Schichten aus sich abwechselnden SiO2- und Ta2O5-Schichten. Unter der Oberfläche ist ein überwachsener Si-Partikel von ca. 2 µm Durchmesser zu erkennen.
Präzisionsschnitt durch ein Partikel aus Batteriematerial Li(NiMnCo)O2 (NMC111) zur Darstellung der inneren Porenstruktur.
Neben Querschnitten lassen sich auch sogenannte TEM-Lamellen präparieren. Das sind hauchdünne Scheiben, die senkrecht aus der Oberfläche herausgeschnitten werden.
In Transmission (Scanning Transmission Electron Microscopy) wird eine besonders hohe Auflösung erreicht, die die innere Struktur des Materials sichtbar macht, z. B. durch Kristallorientierungskontrast.
Serienschnitte durch eine lokale Defektstelle. Mittels Serienschnitten erhält man eine 3D-Tomographie des Gefüges auf der Mikroskala.